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建鲮红 2008-12-2 10:35
单晶硅专利技术光盘：www.99pat.com
单晶硅专利技术光盘
单晶硅专利技术光盘包含了从1985到2008年的所有单晶硅专利技术 ，以下所有专利技术均包
含在一张光盘中，每项专利技术资料均为国家专利全文说明书。含技术配方、加工工艺、质量标准、专利
发明人、权利要求书、说明书附图等。可以直接在线发送也可以通过光盘等邮寄，免收邮资！本站郑重承
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1 CN01805741.1 单晶硅晶片及单晶硅的制造方法
2 CN01136561.7 直拉硅单晶炉热场的气流控制方法及装置
3 CN01136694.X 一种用于直拉硅单晶制备中的掺杂方法及其装置
4 CN01136769.5 一种提高直拉硅单晶棒中氧含量的方法及增氧器
5 CN01134359.1 直拉硅单晶炉热屏方法及热屏蔽器
6 CN01139098.0 一种微量掺锗直拉硅单晶
7 CN02151126.8 多晶硅融化掺氮生长微氮硅单晶的方法
8 CN02151127.6 一种生长硅单晶的方法
9 CN02151128.4 氮气氛生长氮浓度可控微氮硅单晶的方法
10 CN02122817.5 单晶碳化硅薄膜的制造方法及制造设备
11 CN02157530.4 制造硅单晶所用的晶种及制造硅单晶的方法
12 CN01806781.6 绝缘体上的单晶硅(SOI)材料的制造方法
13 CN03107427.8 绝缘层上覆硅单晶芯片结构及其制造方法
14 CN03105415.3 制造高掺杂硅单晶的方法
15 CN02111781.0 分离单晶硅埚底料中石英的工艺
16 CN03112137.3 单晶硅衬底上可动微机械结构单片集成的制作方法
17 CN02159135.0 气相掺杂区熔硅单晶的生产方法
18 CN03109067.2 气相预掺杂和中子辐照掺杂组合的区熔硅单晶的生产方法
19 CN02802101.0 直径300mm及300mm以上的单晶硅晶片及其制造方法
20 CN98100136.X 硅单晶的制造方法及其使用的晶种
21 CN98112814.9 用硅衬底β碳化硅晶体薄膜生长碳化硅单晶体
22 CN99100967.3 制造碳化硅单晶的方法和用于制造碳化硅单晶的装置
23 CN98100416.4 通过控制拉速分布制造单晶硅锭和晶片的方法及其产品
24 CN98118815.X 具有镧镓硅氧化物单晶基片的声表面波器件
25 CN98116827.2 单晶硅－纳米晶立方氮化硼薄膜类P－N结及其制作方法
26 CN98121350.2 单晶硅片抗机械力的提高
27 CN98807859.7 生长富空位单晶硅的热屏蔽组件和方法
28 CN00105518.6 生产硅单晶的直拉区熔法
29 CN98808456.2 控制硅单晶生长的方法与系统
30 CN98807993.3 用于单晶硅生长的非Dash缩颈法
31 CN99801049.9 形成单晶硅层的方法和制造半导体器件的方法
32 CN99117832.7 去除硅单晶中重金属杂质的方法
33 CN99812088.X 热退火后的低缺陷密度单晶硅
34 CN99811709.9 从低缺陷密度的单晶硅上制备硅－绝缘体结构
35 CN99815584.5 高质量单晶制造中堆积和熔化多晶硅的方法
36 CN00122075.6 直拉硅单晶生长的重掺杂方法
37 CN99811961.X 氮化铝、碳化硅及氮化铝∶碳化硅合金块状单晶的制备方法
38 CN01131737.X 标定单晶硅晶圆晶向的方法
39 CN01800727.9 硅片及硅单晶的制造方法
40 CN01105256.2 块状碳化硅单晶生长的制备方法
41 CN00812335.7 制备具有均匀热过程的单晶硅的方法
42 CN02111221.5 单晶硅片衬底的磁控溅射铁膜合成二硫化铁的制备方法
43 CN00815428.7 低温下用顺序横向固化制造单晶或多晶硅薄膜的系统和方法
44 CN200710133581.6 单晶硅高效复合切割方法及其切割系统
45 CN200710133407.1 硅基氮化物单晶薄膜的外延结构及生长方法
46 CN200710058315.1 直拉法生长掺镓硅单晶的方法和装置
47 CN200710047776.9 新型铝背发射结N型单晶硅太阳电池
48 CN200710180002.3 过渡金属多重掺杂负温度系数单晶硅热敏电阻
49 CN200580049409.1 硅单晶的培育方法、以及硅晶片和使用该硅晶片的SOI衬底
50 CN200580049416.1 硅单晶的制造方法和硅晶片
51 CN200610113979.9 一种直拉硅单晶炉的熔硅液面位置的控制方法
52 CN200710148262.2 硅单晶的制造方法及硅片的制造方法
53 CN200610114123.3 一种改进的生长掺杂硅单晶体的方法及其装置
54 CN200710185125.6 单晶硅太阳能电池的制造方法及单晶硅太阳能电池
55 CN200710185126.0 单晶硅太阳能电池的制造方法及单晶硅太阳能电池
56 CN200710185123.7 单晶硅太阳能电池的制造方法及单晶硅太阳能电池
57 CN200710185124.1 单晶硅太阳能电池的制造方法及单晶硅太阳能电池
58 CN200580049778.0 硅单晶的培育方法和采用该方法培育的硅单晶
59 CN200710157175.3 超声波清洗单晶硅片方法及其装置
60 CN200710151631.3 使用金属污染及热处理识别单晶硅中的晶体缺陷区的方法
61 CN200610162854.5 可反射出色域的电极结构以及单晶硅面板与显示装置
62 CN200580050122.0 硅单晶的生长方法及硅晶片的制造方法
63 CN200580050178.6 单晶硅的生长方法
64 CN200680022260.2 制备碳化硅单晶的方法
65 CN200710018889.6 单晶硅薄膜及其组件的制备方法
66 CN200580051163.1 硅单晶提拉装置及其方法
67 CN200710192803.1 单晶硅棒制造方法和单晶硅棒结构
68 CN200710063644.5 提高单晶硅太阳能电池减反射膜质量的方法
69 CN200810060274.4 改善半导体单晶硅研磨硅片平行度的方法及其装置
70 CN02281654.2 一种直拉法生长单晶硅用硅籽晶夹持器
71 CN00224737.2 单晶硅衬底双面抛光片
72 CN00225900.1 单晶硅炉传动轴用磁性流体密封装置
73 CN01265431.0 低氧碳单晶硅复投料自卸机构
74 CN200720096818.3 直拉法生长掺镓硅单晶的装置
75 CN200720169560.5 一种用于直拉硅单晶炉热场的主发热体
76 CN200720039053.X 一种单晶硅太阳能电池绒面腐蚀槽
77 CN200720173441.7 直拉硅单晶制备用坩埚
78 CN200720173483.0 一种直拉硅单晶制备用坩埚
79 CN200720192576.8 超声波清洗单晶硅片装置
80 CN03153378.7 基于区熔硅单晶的双极光晶体管及其探测方法
81 CN200410053438.2 掺铈焦硅酸镥高温闪烁单晶体的制备方法
82 CN02821597.4 高电阻率碳化硅单晶体及制造方法
83 CN200410053863.1 生产高强度直拉硅单晶用的籽晶的制备方法
84 CN03126463.8 一种生长直拉硅单晶的重掺杂方法及掺杂装置
85 CN200410064692.2 太阳能级硅单晶生产工艺方法
86 CN200410092027.4 一种锌掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻
87 CN200310116749.4 一种锰掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻
88 CN200310112908.3 一种消除硅单晶片器件制作区原生坑缺陷的方法
89 CN200410096670.4 具有均匀空位缺陷的单晶硅锭和晶片及其制备方法和设备
90 CN03808958.0 单晶硅的制造方法及单晶硅以及硅晶片
91 CN02826170.4 用单晶片低压CVD淀积氧化硅和氮氧化物的方法
92 CN03810538.1 单晶硅晶片及外延片以及单晶硅的制造方法
93 CN200510023460.7 单晶硅片表面制备巯基硅烷-稀土纳米复合薄膜的方法
94 CN200510023461.1 单晶硅片表面制备磺酸基硅烷-稀土纳米复合薄膜的方法
95 CN03818379.X 提拉单晶硅用石英玻璃坩埚和制造该坩埚的方法
96 CN200510062693.8 涂覆有金属电镀层的单晶硅基片和垂直磁记录介质
97 CN200510059736.7 直拉单晶硅用砷掺杂剂及其制造方法以及使用该掺杂剂的单晶硅的制造方法
98 CN03159798.X 单晶硅及SOI基板、半导体装置及其制造方法、显示装置
99 CN03132132.1 平板单晶硅表面的改性方法
100 CN01821381.2 用于制备低铁污染单晶硅的装置和方法
101 CN01819895.3 用于控制空位为主的单晶硅热过程的方法
102 CN02131185.4 一种直拉法生长单晶硅用硅籽晶夹持器
103 CN02131184.6 直拉法硅单晶生长用硅籽晶及其加工方法
104 CN02804207.7 用于制备具有改善的栅氧化层完整性的单晶硅的方法
105 CN200310104772.1 制造掺杂高挥发性异物的硅单晶的方法
106 CN200310123311.9 硅单晶及其制造方法
107 CN02155236.3 单晶硅太阳能电池的表面结构及其制作方法
108 CN200310123043.0 硅片和生产单晶硅的方法
109 CN02810080.8 电阻加热式单晶片腔室中的掺杂的硅沉积工艺
110 CN03150806.5 一种具有晶格补偿的重掺硼硅单晶衬底
111 CN03115479.4 检测N型重掺硅单晶片或锭晶格缺陷的方法
112 CN200310108003.9 一种磁场下生长低缺陷密度直拉硅单晶的方法
113 CN200410031425.5 硅单晶的生产方法及装置、硅单晶和硅半导体晶片
114 CN200410001382.6 单晶硅膜的制造方法
115 CN200310108926.4 单晶硅基片表面自组装稀土纳米膜的制备方法
116 CN200310108771.4 硅酸钆单晶体的生长方法
117 CN200310113523.9 物理气相传输生长碳化硅单晶的方法及其装置
118 CN200310124860.8 通过控制拉速分布制造单晶硅锭和晶片的方法及其产品
119 CN200310117761.7 用于重掺直拉硅单晶制造的掺杂方法及其掺杂漏斗
120 CN200310117760.2 用于八英寸重掺砷直拉硅单晶制造的上部热场
121 CN200310117762.1 用于六英寸及八英寸重掺磷直拉硅单晶制造的上部热场
122 CN200610049528.3 半导体器件与集成电路硅单晶废弃片的回收利用方法
123 CN200510112207.9 单晶硅片表面自组装聚电解质-稀土纳米薄膜的制备方法
124 CN200510023563.3 直拉硅单晶中低氧控制方法
125 CN200610004057.4 一种生产硅铁、硅钙和单晶硅的原料的加工方法
126 CN200510068987.1 单晶硅液晶显示面板的驱动系统与方法
127 CN200510011753.3 单一轴向排布的单晶硅纳米线阵列制备方法
128 CN200410018223.7 一种拉制硅单晶工艺方法
129 CN200410042603.4 单晶硅微机械加工的电容式麦克风及其制造方法
130 CN200510050335.5 用于纳米光子技术的单晶硅纳米膜的制备方法
131 CN200510013851.0 大直径区熔硅单晶制备方法
132 CN200510027350.8 单晶硅片表面制备巯基硅烷-稀土自润滑复合薄膜的方法
133 CN200510027349.5 单晶硅片表面制备磺酸基硅烷-稀土纳米复合薄膜的方法
134 CN200510098526.9 纳米晶硅/单晶硅异质结太阳能电池及其制备方法
135 CN200380108637.2 利用坩埚旋转以控制温度梯度的制备单晶硅的方法
136 CN200510027077.9 一种单晶氧化硅纳米线的合成方法
137 CN200410066298.2 半导体集成电路硅单晶片衬底背面氮化硅层的新腐蚀方法
138 CN200510014891.7 液体涂抹法区熔硅单晶的掺锗方法
139 CN200510015279.1 磁场直拉硅单晶的制备方法
140 CN200510015280.4 区熔气相掺杂太阳能电池硅单晶的制备方法
141 CN200410088423.X 一种在硅基底上生长单晶铁纳米线的方法
142 CN200410088609.5 一种单晶硅抛光片热处理工艺
143 CN200480011173.8 硅晶片及其制造方法、以及硅单晶生长方法
144 CN200510123870.9 硅单晶的生长方法、生长装置及由其制造的硅片
145 CN200610006496.9 制造具有受控制的碳含量的硅单晶的方法
146 CN200610024981.9 单晶硅片表面氨基硅烷-稀土纳米薄膜的制备方法
147 CN200610024980.4 单晶硅片表面磷酸基硅烷-稀土纳米薄膜的制备方法
148 CN200610026855.7 单晶硅片表面自洁性二氧化钛纳米薄膜的制备方法
149 CN200610010099.9 对称结构双级解耦单晶硅微机械陀螺仪
150 CN200610014297.2 硅单晶衬底材料抛光液及其制备方法
151 CN200480024893.8 制备碳化硅单晶的方法
152 CN200610014304.9 硅单晶衬底材料表面粗糙度的控制方法
153 CN200610013498.0 大直径区熔硅单晶生产方法
154 CN200610013533.9 气相预掺杂和中子辐照掺杂组合的区熔硅单晶的生产方法
155 CN200610013534.3 区熔气相掺杂太阳能电池硅单晶的生产方法
156 CN200610013497.6 气相掺杂区熔硅单晶的生产方法
157 CN200610013477.9 区熔硅单晶炉电气控制系统
158 CN200610054245.8 p型单晶硅片的表面处理方法
159 CN200610054246.2 n型单晶硅片的表面处理方法
160 CN200510010744.2 光学玻璃和硅单晶非球面光学元件的加工方法
161 CN200610014303.4 硅单晶片器件制备区域表面完美性的控制方法
162 CN200610081294.0 一种碳化硅单晶生长后的热处理方法
163 CN200610043184.5 单晶硅拉制炉及多晶硅冶炼炉用炭/炭隔热屏的制备方法
164 CN200610043185.X 单晶硅拉制炉及多晶硅冶炼炉用炭/炭加热器的制备方法
165 CN200510027829.1 一种太阳能级硅单晶用料配方及制备
166 CN200610058255.9 高质量硅单晶的生长方法和装置、硅单晶结晶块及硅晶片
167 CN200610106431.1 掺杂单晶硅硅化电熔丝及其形成方法
168 CN200610043186.4 单晶硅拉制炉用热场炭/炭坩埚的制备方法
169 CN200610043187.9 单晶硅拉制炉用热场炭/炭导流筒的制备方法
170 CN200610099146.1 单晶硅锭和硅片、及其生长装置和方法
171 CN200510092880.0 单片单晶硅微机械加工的电容式压力传感器
172 CN200510092319.2 反射式单晶硅液晶面板以及使用此液晶面板的投影装置
173 CN200580005839.3 碳化硅(SiC)单晶的制造方法以及通过该方法得到的碳化硅(SiC)单晶
174 CN200610092779.X 制造硅单晶的方法
175 CN200610003165.X 高质量硅单晶结晶块的生长装置及使用此装置的生长方法
176 CN200610048750.1 一种在单晶硅基底表面直接制备Cr-Si硅化物电阻薄膜的方法
177 CN200510094904.6 单晶硅切方机构
178 CN200580021074.2 100毫米的高纯半绝缘单晶碳化硅晶片
179 CN200510111453.2 制作单晶硅太阳电池绒面的方法
180 CN200510111455.1 单晶硅太阳电池绒面的制备方法
181 CN200580023035.6 碳化硅单晶及其蚀刻方法
182 CN200580024926.3 利用单晶圆腔室沉积纳米晶体硅
183 CN200510136041.4 单晶硅制备中稀土镧系基合金吸气剂提纯氩气与氩气回收工艺
184 CN200510132574.5 一种清除直拉硅单晶炉内SiO的方法及装置
185 CN200510132575.X 一种提高直拉硅单晶炉热场部件寿命的方法及单晶炉
186 CN200610129891.6 <110>无位错硅单晶的制造方法
187 CN200610149906.5 生产单晶硅的方法
188 CN200610155897.0 低硅高钙单晶体电熔镁砂熔炼方法
189 CN200610013089.0 供高温力学量传感器用的纳米多晶硅-氮化铝隔膜-硅单晶衬底基片
190 CN200580028656.3 硅片及其制造方法，以及硅单晶的培育方法
191 CN200610105330.2 单晶炉中籽晶与熔融硅液面接触的检测方法
192 CN200610105331.7 基于霍夫变换的直拉单晶硅棒直径的测量方法
193 CN200610105332.1 直拉法单晶硅生长过程中的熔体液面位置检测方法
194 CN200710037043.7 在单晶硅片表面制备碳纳米管复合薄膜的方法
195 CN200610155648.1 直拉法生长硅单晶产生的锅底料的除杂方法
196 CN200610119211.2 一种控制硅单晶切磨片残留损伤层厚度的方法
197 CN200710036554.7 利用纳米硅丝做模板合成单晶β-Si3N4纳米线的方法
198 CN200580032490.2 用于大碳化硅单晶的高品质生长的籽晶和籽晶夹持器组合
199 CN200710037045.6 单晶硅片表面磷酸基硅烷-碳纳米管复合薄膜的制备方法
200 CN200610156605.5 用于制造高质量硅单晶锭的方法以及由其制得的硅单晶片
201 CN200710015419.4 彩色碳硅石单晶及其制备方法与人造宝石的制备
202 CN200710084192.9 IGBT用硅单晶片和IGBT用硅单晶片的制造方法
203 CN200710017915.3 单晶硅拉制炉用炭/炭保温罩的制备方法
204 CN200610026249.5 利用微影区域迭对测量仪监控硅单晶外延层层错状况的方法
205 CN200610080114.7 反射式单晶硅液晶面板
206 CN200610046542.8 硅单晶锭X射线定向仪
207 CN200710079489.6 用于制造单晶或多晶材料、尤其是多晶硅的装置和方法
208 CN200580006256.2 用于单晶硅连续生长的系统
209 CN200710040549.3 单晶硅太阳能电池化学蚀刻、清洗、干燥的方法和它的一体化处理机
210 CN200710023967.1 一种单晶硅太阳能电池绒面腐蚀槽
211 CN200610028783.X 形成纳米单晶硅的方法和非挥发性半导体存储器制造方法
212 CN200610029378.X 单晶硅切割废液的处理回收方法
213 CN200680004816.5 碳化硅单晶的制造方法
214 CN200710113772.6 一种低电阻/高温度系数硅单晶热敏电阻及其制备方法
215 CN200710106433.5 单晶硅的培育工艺中溶液的液面位置监视装置
216 CN200810101680.0 单晶硅横向微型MEMS皮拉尼计及其制备方法
217 CN200810060641.0 一种低弯曲薄片单晶硅太阳电池烧结工艺
218 CN200810083479.4 单晶硅太阳能电池的制造方法及单晶硅太阳能电池
219 CN200810023591.9 单晶硅或炭基单晶硅电极电解氧化处理有机化工污水方法
220 CN200810011318.4 单晶硅片水基清洗剂
221 CN03244621.7 绝缘层上覆硅单晶芯片结构
222 CN03246541.6 硅绝缘体单晶芯片结构
223 CN03246542.4 硅绝缘体单晶芯片结构
224 CN03231427.2 双面光照单晶硅太阳电池
225 CN200320103212.X 用于减少硅单晶棒截断崩边的工具
226 CN200420079639.5 硅单晶炉热系统装置
227 CN200320101920.X 用于检查硅单晶棒上的切口位置的工具
228 CN200520076510.3 单晶硅切方装置
229 CN200520092740.9 硅单晶锭X射线定向仪
230 CN200520113172.6 反射式单晶硅液晶面板以及使用此液晶面板的投影装置
231 CN200620025965.7 区熔硅单晶炉电气控制装置
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